Ultra dënn Quarz Wafer Fir Semiconductor

Parameter

Standard Spezifizéierung

Materialien

Fused Silica (JGS1/JGS2/JGS3), Borofoat33, D263t, B270i,

Corning 7980, Corning Eagle XG, etc.

Duerchmiesser

2", 3", 4", 6", 8", 12" a Square

Dicke

0,1-3,0 mm

TTV

Standard < 10 um, Maximal Capabilities<1 um

Boun

Standard < 60 um, Maximal Capabilities<30 um

Warp

Standard < 60 um, Maximal Capabilities<30 um

Uewerfläch

DSP, SSP

Rauh (Ra)

Standard Ra< 1nm, Maximum Capabilities <0.5nm

S/D

Standard 60/40, maximal Kënnen 20/10

Bemierkung

Personnaliséiert ass verfügbar

Kierperlech Eegeschafte

Wäerter

Rengheet

＞99.99%

Dicht

2,2 g/cm³

Transparenz

＞90%

Mohs Hardness

5.5--6.5

Deformatioun Punkt

1280 Grad

Erweichungspunkt

1750 Grad

Annealing Point

1250 Grad

Spezifesch Hëtzt (20 - 350 Grad)

670 J/kg. Grad

Thermesch Konduktivitéit (20 Grad)

1,4 W/m Grad

Wärmekonduktivitéit (w/mk, 1000 Grad)

1.0-1.2

Brechungsindex

1.4585

Koeffizient vun thermesch Expansioun

5.5*10 ^-7cm/cm. Grad

Hot - Aarbechtstemperatur

1750--2050 Grad

Kuerz - Déngschttemperatur

1450 Grad

Laang - Service Temperatur

1100 Grad

Chemesch Eegeschaften

Wäerter

Seier resistent

Staark Säure (ausser HF), Staark Alkali, organesch Léisung

Héich Temperaturen Korrosiounsbeständeg

exzellent

Metal Gëftstoffer Inhalt

＜5 ppm

Elektresch Eegeschafte

Wäerter

Resistivitéit

7*10⁷Ω.cm

Isolatioun Kraaft

250 ~ 400 kV/cm

Dielektresch Konstant

3.7~3.9

Dielektresch Absorptiounskoeffizient

＜4*10^-4

Dielectric Verloscht Koeffizient

＜1*10^-4

Mechanesch Eegeschafte

Wäerter

Kompressiv Kraaft

1100 MPa

Béie Kraaft

67 mpa

Tensile Stäerkt

48 mpa

Poisson Verhältnis

0.14~0.17

Young's Modulus

72000 MPa

Schéier Modul

31000 MPa