Quarz Wafer Botzen Boot

Quarz Wafer Botzen Boot

E Quarz Wafer Botzen Boot ass en Apparat fir Wafer Botzen am Hallefleiter Fabrikatiounsprozess benotzt.
Material: 99,99% Quarz

Beschreiwung

Fonctiounen

 

  • Héich Temperatur Resistenz
  • Korrosiounsbeständegkeet
  • Verschleißbeständegkeet
  • Einfach ze botzen

Benotzen: ewechzehuelen Uewerfläch kontaminanten

Garantéiert d'Fabrikatiounsqualitéit vu Halbleiterchips.

 

Applikatioun

1. Pre-Diffusion Botzen

Benotzt fir Waferen duerch naass Bänk oder Tauchreinigungsschrëtt ze transportéieren (zB RCA Reinigung) fir organesch, metallesch a partikelesch Verschmotzunge virun héijer -Temperaturdiffusioun oder Oxidatiounsprozesser ze entfernen.

2. Post-CMP (Chemical Mechanical Planarization) Botzen

Hält Wafere wärend der Post-Poléierenreinigung fir Schlëmmerreschter an Uewerflächefehler ze eliminéieren, fir eng optimal Flaachheet fir spéider Lithographie Schrëtt ze garantéieren.

3. Front-Enn-of-Line (FEOL) Fabrikatioun

Beschäftegt a kriteschen FEOL Reinigungsstadien, wou ultra-propper Flächen erfuerderlech sinn fir Gateoxidwachstum, epitaxial Oflagerung oder Ionimplantatioun.

4. Réck-Enn-vun-Linn (BEOL) Veraarbechtung

Ënnerstëtzt Wafere wärend der Post-Etch oder Post-Oflagerungsreinigung fir Photoresist ze entfernen, Nebenprodukte a metallesch Gëftstoffer no der Verbindungsbildung ze ätzen.

5. Fortgeschratt Verpakung

Erliichtert Wafer -Niveau Botzen virum Wierfel oder Bindung an 2.5D/3D IC Verpackungen, garantéiert kontaminéiert -gratis Interfaces fir zouverlässeg Interconnects.

6. Photovoltaik Fabrikatioun

Benotzt an der Solarzelleproduktioun fir Siliziumsubstrater ze botzen, d'Uewerflächqualitéit ze verbesseren fir eng verbessert Liichtabsorptioun an Energiekonversiounseffizienz.

 

Eegeschaften

 

Kierperlech Eegeschafte

Wäerter

Rengheet

>99.99%

Dicht

2,2 g/cm3

Transparenz

>90%

Mohs Hardness

5.5--6.5

Deformatioun Punkt

1280 Grad

Erweichungspunkt

1750 Grad

Annealing Point

1250 Grad

Spezifesch Hëtzt (20 - 350 Grad)

670 J/kg. Grad

Thermesch Konduktivitéit (20 Grad)

1,4 Watt/m Grad

Wärmekonduktivitéit (w/mk, 1000 Grad)

1.0-1.2

Brechungsindex

1.4585

Koeffizient vun thermesch Expansioun

5.510 -7cm/cm. Grad

Hot - Aarbechtstemperatur

1750--2050 Grad

Kuerz - Déngschttemperatur

1450 Grad

Laang - Service Temperatur

1100 Grad

 

Chemesch Eegeschaften

Wäerter

Seier resistent

Staark Säure (ausser HF), Staark Alkali, organesch Léisung

Héich Temperaturen Korrosiounsbeständeg

exzellent

Metal Gëftstoffer Inhalt

<5 ppm

 

Elektresch Eegeschafte

Wäerter

Resistivitéit

7107Ω.cm

Isolatioun Kraaft

250 ~ 400 kV/cm

Dielektresch Konstant

3.7~3.9

Dielektresch Absorptiounskoeffizient

<410-4

Dielectric Verloscht Koeffizient

<110-4

 

Mechanesch Eegeschafte

Wäerter

Kompressiv Kraaft

1100 MPa

Béie Kraaft

67 mpa

Tensile Stäerkt

48 mpa

Poisson Verhältnis

0.14~0.17

Young's Modulus

72000 MPa

Schéier Modul

31000 MPa

 

Botzen Methoden

 

Tauchreinigung:

Setzt de Wafer am Botzboot, daucht d'Botzboot an d'Botzflëssegkeet, a vergréissert de Kontakt tëscht der Botzflëssegkeet an der Wafer Uewerfläch andeems de Wafer Boot opgehuewe gëtt fir de Botzeffekt ze verbesseren.

 

Spray Reinigung:

Stellt d'Botzboot oprecht an der Spraykammer, a benotzt d'Düse fir d'Botzflëssegkeet op der Wafer Uewerfläch ze sprëtzen fir Verschmotzungen ze entfernen. an

 

Wichtegkeet vun Botzen Botzen:

  • Sécherstellen Wafer Propretéit: Eng propper Wafer Uewerfläch ass entscheedend fir d'Fabrikatiounsqualitéit vun Hallefleit Chips, an d'Botzboot spillt eng vital Roll am Botzprozess.
  • Assuréiert d'Zouverlässegkeet vun de Halbleiterchips: Assuréiert d'Zouverlässegkeet vun de Chips a reduzéiert Produktdefekter andeems Dir Uewerflächekontaminanten entfernt.
  • Verbessert d'Ausbezuele vun Halbleiterchips: Verbessert d'Propperheet vun de Waferen, an doduerch d'Ausbezuele vun de Hallefleitchips ze verbesseren.

Hot Tags: Quarz Wafer Botzen Boot, China Quarz Wafer Botzen Boot Hiersteller, Fournisseuren, Fabréck

Dir kënnt och gär hunn

Shopping Poschen